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本发明提出一种半导体结构及其制造方法，包括：衬底，第一深阱层设置在所述衬底内部。第二深阱层设置在所述第一深阱层上。过渡区设置在所述第二深阱层上。沟槽隔离区设置在所述衬底顶部。栅极结构，设置在所述衬底的上表面，且所述栅极结构覆盖部分所述过渡区。第一掺杂区，设置在所述栅极结构的一侧，以形成源极。以及第二掺杂区，设置在所述栅极结构背离所述第一掺杂区的一侧，以形成漏极。其中，所述栅极结构在所述衬底上的正投影与所述沟槽隔离区在所述衬底上的正投影部分重合。本发明提出的半导体结构及其制造方法，可以提高器件的耐
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113571579 B
(45)授权公告日 2022.01.28
(21)申请号 202111125376.1 H01L 29/06 (2006.01)
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