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本发明为一种四层NanoSIM卡类的封装基板及其制作方法,利用双层覆铜板作为基板,于基板上形成通孔,填孔后处理形成内部的第二线路层和第三线路层,外层使用铜箔和半固化片压合,镭射钻孔形成1‑2层盲孔和3‑4层盲孔,填孔后处理形成第一电路层和第四线路层,对GTL面的焊盘和绑定、GBL面的MARK点电软金,对GBL面的手指PAD、GTL面的导胶口经两次喷砂电硬金,碱性回蚀引线后进行抗氧化,最终成型。本发明提高了SIM卡产品品质良率,金面偏哑雾色,并有效保护BGA的铜面品质。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113613414 B
(45)授权公告日 2021.12.31
(21)申请号 202111157490.2 (56)对比文件
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