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本发明公开了晶体管及制作方法。晶体管包括：依次层叠设置在基底上的窄带隙材料层、栅介质层和栅极，窄带隙材料层具有沟道区，位于窄带隙材料层远离基底一侧的膜层在沟道区具有台阶；源极和漏极，源极和漏极位于窄带隙材料层远离基底的一侧，且均与窄带隙材料层相接触，在源极和漏极中，至少漏极覆盖台阶，源极和漏极由金属材料形成。晶体管在关断状态时，漏极侧的能带变化平缓，缓解了漏极侧能带过度弯曲导致的势垒减薄，抑制了漏极载流子的反向隧穿，减小了关态漏电流，降低了晶体管的功耗，提高了晶体管的开关比；在导通状态时漏极侧能
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113644113 B
(45)授权公告日 2022.07.15
(21)申请号 202010393423.X H01L 29/10 (2006.01)
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