一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法.pdfVIP

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2023-06-27 发布于四川
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一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法.pdf

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本发明公开了一种物理气相传输法生长氮化铝单晶的方法，所述方法包括：S1，将氮化铝原料固定于坩埚内壁四周；S2，将籽晶固定于坩埚内晶体生长腔中间位置；S3，将坩埚放入高温炉中，通入高纯氮气，升温至预设温度，并调节至所述籽晶周围形成小温梯进行氮化铝单晶生长，保温一段时间。在温度梯度的作用下，四周的气相物质朝向籽晶传输，并在籽晶周围形成Al气压的低过饱和度，形成籽晶高质量层流生长模式下的高速生长。本发明采用的制备氮化铝单晶的物理气相传输法，改变了目前传统物理气相传输法中原料、籽晶的排布方式、以及热场分

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113622018 B (45)授权公告日 2022.04.01 (21)申请号 202110906303.X (51)Int.Cl.