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本发明公开了一种半导体激光器的制备方法，包括：提供初始半导体激光器，所述初始半导体激光器具有前腔面；对所述前腔面进行氩等离子体处理；进行所述氩等离子体处理之后，对所述前腔面进行氮等离子处理；进行所述氮等离子处理之后，采用溅射工艺在所述前腔面形成氮化硼膜。所述半导体激光器的制备方法有效的抑制半导体激光器的光学灾变损伤、提高工艺效率，降低工艺操作难度和降低。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116334547 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202111608422.3 H01S 5/028 (2006.01)
(22)申请日 2021.12.
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