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本公开涉及具有含多个区的栅极电极的半导体装置及其制造方法。一种半导体装置包括半导体衬底、设置在所述半导体衬底的上表面上的第一介电层、设置在所述第一介电层上的第二介电层、设置在所述第二介电层上的第三介电层、形成于所述第一介电层中的下部开口、形成于所述第二介电层和所述第三介电层中的上部开口，以及控制电极，其中所述上部开口的至少一部分与所述下部开口的一部分重叠，所述控制电极形成于所述下部开口的至少一部分内和所述上部开口的一部分内，其中所述控制电极的一部分形成于所述第三介电层上。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116344610 A
(43)申请公布日 2023.06.27
(21)申请号 202211481263.X
(22)申请日 2022.11.24
(30)优先权数据
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