光电传感器及其形成方法、以及电子设备.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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光电传感器及其形成方法、以及电子设备.pdf

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一种光电传感器及其形成方法、以及电子设备，光电传感器包括：介质层，位于像素基底的第二表面上，介质层位于逻辑基底表面上；互连层，位于介质层中；连接结构，位于像素基底的像素单元区正投影下方的介质层中，连接结构分别与介质层中的互连层和像素基底相接触；第一开口，位于引线区的像素基底内，且暴露介质层的顶表面；第二开口，位于第一开口下方的介质层内，且暴露互连层顶表面；焊垫层，位于第一开口和第二开口内且与介质层内的互连层相接触；钝化层，填充第一开口和第二开口且位于第一表面上，钝化层覆盖焊垫层以及导电层；金属网

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344560 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111581747.7 (22)申请日 2021.12.22 (71)申请人中芯国际集成电路