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本发明提供一种赝配高电子迁移率晶体管、外延结构及制备方法，复合缓冲层可以在较短生长时间内充分的阻止衬底的缺陷向沟道延伸，增强器件质量；InGaAs复合沟道层In组分和各层厚度渐变，以最大限度的增加InGaAs沟道内In的含量，形成良好的二维电子气限制，从而提高二维电子气浓度和迁移率，进而增强器件质量；脉冲掺杂层中引入AlAs薄层和GaAs材料生长速率的变化还可以提高Si的掺杂效率，有效地减少杂质的吸附进一步提高沟道中二维电子气浓度；通过使用生长中断方法生长复合缓冲层以及复合沟道层，以实现不同材料
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 115274826 A
(43)申请公布日 2022.11.01
(21)申请号 202210994932.7
(22)申请日 2022.08.18
(71)申请人 上海新微半导体有限
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