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- 2023-06-28 发布于四川
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高性能整流电路，本发明涉及电子技术。本发明包括：第一MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；第二MOS管，其一个电流连接端接第二交流输入端，另一个电流连接端接直流输出端，控制端通过二极管接直流输出端；第三MOS管，其一个电流连接端接第一交流输入端，另一个电流连接端接地，控制端接第二交流输入端；还包括第四MOS管、第五MOS管、第六MOS管所述二极管由MOS管构成。本发明有效的降低了整流电路中阈值损失，减少了衬偏效应产生的电压降损耗。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113659858 B
(45)授权公告日 2022.02.15
(21)申请号 202111218681.5 (56)对比文件
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