半导体结构及其形成方法.pdfVIP

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2023-06-28 发布于四川
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半导体结构及其形成方法.pdf

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一种半导体结构及其形成方法，方法包括：提供衬底，所述衬底包括逻辑电路区和像素区；在所述逻辑电路区的所述衬底的顶部、以及所述逻辑电路区和像素区交界处的所述衬底的部分顶部形成栅极结构、以及覆盖所述栅极结构顶部的离子阻挡层；形成所述离子阻挡层之后，对所述像素区中的衬底进行掺杂处理；进行所述掺杂处理之后，去除所述离子阻挡层。所述离子阻挡层能够对所述栅极结构起到保护作用，在后续对所述第一离子掺杂层进行掺杂处理的过程中，降低了掺杂处理所采用的离子注入到栅极结构的概率，提高了所述栅极结构的电学性能，从而提高了

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116344563 A (43)申请公布日 2023.06.27 (21)申请号 202111604671.5 (22)申请日 2021.12.24 (71)申请人中芯国际集成电路制造（天津）有限