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一种改善关断特性的MOSFET芯片制造方法.pdfVIP

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  • 2023-06-28 发布于四川
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一种改善关断特性的MOSFET芯片制造方法.pdf

    本发明公开了一种改善关断特性的MOSFET芯片制造方法，包括以下步骤：在所述隔离氧化层的两端打孔，获得两个电阻接触孔，所述电阻接触孔依次穿过介质层、隔离氧化层及轻掺杂多晶硅，并在沟槽区域打孔，获得一个源区接触孔，所述源区接触孔依次穿过介质层、栅氧化层、源区与体区。在所述电阻接触孔内成型第一金属连线和第二金属连线，所述源区接触孔内成型第三金属连线，将第一金属连线与第三金属连线连接，第二金属连线与栅极连接。本发明在芯片内部集成了多晶硅电阻，电阻两端分别连接于栅极和源极，可保证在关断时存储于栅极寄生电

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113658948 B (45)授权公告日 2022.06.07 (21)申请号 202110925732.1 H01L 21/822 (2006.01)

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