一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法.pdfVIP

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2023-06-29 发布于四川
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一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法.pdf

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本发明涉及超结结构半导体技术领域，且公开了一种具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，包括半导体基板和主板，所述半导体基板包括规则排布的五组np组合柱及位于所述np组合柱底部的n+漏极层，所述五组np组合柱的顶部设有表面n层，所述表面n层上设有半导体，该具有超结结构的平面型功率MOSFET器件及其制造方法，通过在器件制作完成进行安装使用时，将n+漏极层底部的保持框通过平衡板对应主板上安装螺孔的位置进行压持，通过旋紧螺栓使平衡板与主板进行固定，使得MOSFET器件在安装后可保持稳定，

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690317 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110956390.X (22)申请日 2021.08.19 (71)申请人福建晋润半导体技术有限公司