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一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法.pdfVIP

一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法.pdf

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    本发明提供的一种集成纳米片结构、SRAM单元及其制备方法，采用多层堆叠工艺将PMOS与NMOS堆叠在同一区域内，同时提升有效沟道宽度，增强栅控能力。因此本发明可以实现高度集成、减小CMOS电路面积，提高系统集成度，从而降低超大型集成电路成本。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113690238 A (43)申请公布日 2021.11.23 (21)申请号 202110853449.2 H01L 21/8238 (2006.01)

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