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- 2023-06-30 发布于四川
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本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法。所述单光子雪崩二极管包括由第一掺杂类型的衬底与在所述衬底中形成的第二掺杂类型阱区构成的pn结，所述第二掺杂类型阱区的宽度随着深度增大逐渐收窄。由于第二掺杂类型阱区的宽度随着深度增大逐渐收窄，反向击穿容易在第二掺杂类型阱区的下方发生，可降低击穿发生在第二掺杂类型阱区边角处的风险，确保单光子雪崩二极管击穿性能的稳定性，有助于节约工艺成本，且优化了单光子雪崩二极管的结构。所述制作方法可用于制作上述单光子雪崩二极管。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690336 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202111070688.7
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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