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- 2023-06-30 发布于四川
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本发明涉及一种单光子雪崩二极管及其制作方法、单光子雪崩二极管阵列。所述单光子雪崩二极管在有源区的边缘区域设有沿衬底厚度方向纵向延伸的p型掺杂区，并且，在p型掺杂区的远离隔离沟槽的一侧，还设有沿衬底厚度方向纵向延伸的n型掺杂区，p型掺杂区和n型掺杂区对隔离沟槽处产生的缺陷起到了隔离作用，可以有效降低由于该缺陷引起的暗计数，并且，所述n型掺杂区与有源区内pn结中的与所述n型掺杂区具有相同掺杂类型的掺杂区电连接，能够将因p型掺杂区而收缩的耗尽区拓宽，使得在降低单光子雪崩二极管的暗计数率的同时，不影响器
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113690337 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202111070697.6
(22)申请日 2021.09.13
(71)申请人 武汉新芯集成电路制造有限公司
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