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一种减少4H‑SiC多型缺陷产生的装置及方法，属于晶体长晶装置领域。本发明解决了现有的用于生长4H‑SiC晶体的长晶装置在长晶过程中容易出现多种晶型，晶体生长质量差的问题。本发明包括坩埚上盖、外坩埚、内坩埚、连接板、支撑台、感应线圈和石英管，外坩埚设置在支撑台上侧，外坩埚内套装有内坩埚，外坩埚上设置有坩埚上盖，坩埚上盖内壁上设置有籽晶，内坩埚内填充有原料，内坩埚设置在连接板上，连接板与螺纹杆螺纹连接，螺纹杆设置在支撑台内并穿过连接板与内坩埚连接，支撑台与外坩埚设置在石英管内，石英管外侧设置有感应
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113684538 A
(43)申请公布日 2021.11.23
(21)申请号 202110988430.9
(22)申请日 2021.08.26
(71)申请人 哈尔滨科友半导体产业装备与技术
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