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本申请公开了一种铁磁性碳化硅晶体及其制备方法，属于半导体材料领域。该铁磁性的碳化硅晶体中具有P型掺杂离子和空穴，所述P型掺杂离子与空穴的浓度比为1：3‑10，以使得所述碳化硅晶体为具有铁磁性的P型碳化硅晶体。该碳化硅晶体在经过磁场后能够在室温下达到较高的饱和磁化强度，以满足常温对半导体碳化硅晶体中的铁磁性强度需求。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利
(10)授权公告号 CN 113718336 B
(45)授权公告日 2022.07.12
(21)申请号 202110843148.1 C30B 28/12 (2006.01)
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