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本发明公开了碳化硅复合MOS器件及碳化硅复合MOS器件的制作方法。本发明中，在第一腔室中将碳化硅外延片通入温度为T1的硅烷气氛中t1分钟，使所述碳化硅表面形成硅膜层；在第二腔室中，将所述硅膜层在温度为T2的氧气氛中进行热氧化，氧化时长为t2分钟，使硅膜层氧化成二氧化硅层；重复S1和S2，直到所述二氧化硅层的厚度达到预设阈值。对碳化硅外延片的上表面进行第一次氧化处理，得到第一氧化层，并在所述第一氧化层的上表面沉积高介电常数介质层；本发明中，综合以上优点，在相同的功率等级下，设备中功率器件的数量、散
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725084 A
(43)申请公布日
2021.11.30
(21)申请号 20201
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