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结构体的制造方法具有如下工序：准备至少表面由III族氮化物构成的蚀刻对象物的工序；以及，在蚀刻对象物浸渍于包含过二硫酸根离子的蚀刻液中的状态下，隔着蚀刻液对蚀刻对象物的表面照射光，从而由过二硫酸根离子生成硫酸根离子自由基，并使III族氮化物中生成空穴，由此对III族氮化物进行蚀刻的工序，在对III族氮化物进行蚀刻的工序中，通过使III族氮化物的蚀刻的开始时间点的蚀刻液为酸性，从而在III族氮化物被蚀刻的期间内维持蚀刻液为酸性的状态，在表面上形成有抗蚀剂掩膜的状态下进行蚀刻。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113728417 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202080030617.1 (74)专利代理机构 北京林达刘知识产权代理事
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