单匝和层压壁电感耦合等离子体源.pdfVIP

  1. 1、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。。
  2. 2、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
  3. 3、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
  4. 4、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
  5. 5、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们
  6. 6、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
  7. 7、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本公开内容描述了用于制造和使用远程等离子体源上的单匝线圈以减小线圈与等离子体之间的电容性耦合和/或用于制造和使用包括减小线圈与等离子体之间的电容性耦合的至少一个导电层的层压腔室壁的系统、方法和装置。在使用层压腔室壁的情况下,线圈可以是单匝或多匝线圈。可以使用添加工艺将(一个或多个)导电层熔合或接合到下层(例如,电介质层)以及将最终层(例如,电介质)熔合或接合到最外面的导电层。此外,公开了一种方法,其中在等离子体点火期间对层压体内的导电层进行偏置,并且然后在点火之后减小偏置。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113728413 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202080031029.X (74)专利代理机构 永新专利商标代理有限公司

文档评论(0)

知识产权出版社 + 关注
官方认证
文档贡献者

知识产权出版社有限责任公司(原名专利文献出版社)成立于1980年8月,由国家知识产权局主管、主办。长期以来, 知识产权出版社非常重视专利数据资源的建设工作, 经过多年来的积累,已经收藏了数以亿计的中外专利数据资源。

版权声明书
用户编号:7163032066000100
认证主体北京中献电子技术开发有限公司
IP属地四川
统一社会信用代码/组织机构代码
91110108102011667U

1亿VIP精品文档

相关文档