包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdfVIP

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2023-07-01 发布于四川
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包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法.pdf

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本申请涉及包括存储器单元串的存储器阵列和用于形成包括存储器单元串的存储器阵列的方法。一种包括存储器单元串的存储器阵列包括横向间隔开的存储器块，存储器块个别地包括竖直堆叠，竖直堆叠包括导体层正上方交替的绝缘层和导电层。存储器单元串包括延伸穿过所述绝缘层和导电层的沟道材料串。沟道材料串与导体层的导体材料直接电耦合。穿阵列通孔TAV区包括个别地延伸穿过绝缘层和导电层到导体层中的TAV。TAV中的个别TAV包括在下部部分正上方且与下部部分接合的上部部分。个别TAV在竖直横截面中包括至少一个外部上部折弯表

(19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116367546 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202211603618.8 H10B 43/27 (2023.01)