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本发明提供一种BJT器件结构及其制作方法，P阱；位于P阱上的N+区；位于N+区上的阻挡层结构，该阻挡层结构为环绕N+区外围的框型结构；阻挡层结构内的区域为BJT器件的发射区；发射区的所述N+区上设有多个相互间隔排布的STI区，P阱的上表面高于STI区的底部；位于发射区外围的基区；位于基区外围的集电区。本发明的BJT器件结构及其制作方法，具有以下有益效果：本发明的BJT器件结构由于发射区的STI区为不连续的结构，可以显著降低发射区和基区的复合电流。从而有效的提高BJT器件的放大系数。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725291 A
(43)申请公布日
2021.11.30
(21)申请号 20201
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