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功率半导体器件及其制造方法.pdfVIP

功率半导体器件及其制造方法.pdf

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    提供了一种功率半导体器件，包括：SiC的半导体层；栅极绝缘层；栅电极层；漂移区，所述漂移区包括所述半导体层中的至少一个突出部分并且具有第一导电类型；阱区，所述阱区包括所述半导体层中的第一阱区并且与所述突出部分接触，以及第二阱区，所述第二阱区位于所述栅电极层外部的半导体层并且连接到所述第一阱区，并且具有第二导电类型；源区，包括第一阱区中的第一源区和第二阱区中并且连接到所述第一源区的第二源区，并且具有第一导电类型；以及栅电极层之下的沟道区，所述沟道区位于所述突出部分和所述第一源区之间的所述半导体层中

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113707707 A (43)申请公布日 2021.11.26 (21)申请号 202110566190.3 (51)Int.Cl.

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