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本发明提供的方法包括接收半导体基板，其具有第一半导体材料的半导体表面；形成抗击穿结构于半导体基板中；在第一温度T1对半导体基板进行预烘烤工艺；在第二温度T2外延成长第一半导体材料的未掺杂的半导体层于半导体基板上，且未掺杂的半导体层具有第一厚度t1；在第三温度T3外延成长半导体层堆叠于未掺杂的半导体层上，且第三温度T3小于第二温度T2；图案化半导体基板与半导体层堆叠以形成沟槽，进而定义与沟槽相邻的主动区；形成隔离结构于沟槽中；选择性移除第二半导体层；以及形成栅极结构以包覆每一第一半导体层。
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116364656 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202211535330.1
(22)申请日 2022.11.30
(30)优先权数据
63/290,369 2021
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