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栅极过压保护的芯片晶体管结构与制造方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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栅极过压保护的芯片晶体管结构与制造方法.pdf

    本发明公开一种栅极过压保护的芯片晶体管结构与制造方法，栅极过压保护叠层以上下交叠形成两层或两层以上PN叠层的方式形成在半导体栅极之上或之下，源极金属与栅极过压保护叠层或者栅极过压保护叠层与漏极半导体层形成上下层接触。本发明具有使芯片内栅极过压保护措施微小化与分散化、即使芯片内设有栅极过压保护措施也能使源极金属与栅极金属在同一设置水平下毗邻的效果。

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364782 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310481752.3 H01L 27/02 (2006.01) (22)申请日 2023.04.

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