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本发明公开一种氧化镓基MOSFET器件及其制备方法，器件包括依次层叠设置的漏极、Ga2O3衬底、第一Ga2O3外延层、注入有受主离子的Ga2O3层、高掺杂n型Ga2O3层、源极；高掺杂n型Ga2O3外延层表面设置有向Ga2O3衬底方向凹陷、底部抵至第一Ga2O3外延层中的凹槽；还包括：设置在凹槽内壁上的第二Ga2O3外延层；层叠设置在第二Ga2O3外延层及高掺杂n型Ga2O3层上的绝缘栅介质层、栅极。本发明中第二Ga2O3外延层的引入将导电通道从注入有受主离子的Ga2O3层转移至第二Ga2O3外
(19)国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 116364753 A
(43)申请公布日 2023.06.30
(21)申请号 202211500010.2
(22)申请日 2022.11.28
(71)申请人
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