【光电子技术】第3章 光探测器（2）.pptx

3.3.2 结型光电器件;光照射PN结，产生光电动势。用导线连接P区和N区，就有电流通过。 ;φ＝0， 伏安特性与普通二极管完全一样。 ; 光电池与光敏二极管虽然都是结型光电器件，但二者工作条件不同；在制造产品时，它们的结构、工艺及受光面积均不同。两者的性能指标不一样，不能相互通用。;2CR型 ;硅光电池 ;光电池作测量时，应利用Isc， 电路应满足短路条件： ;2.伏安特性;I/％： 各波长入射光能量一定时的相对光谱响应;由表3.3可见：;控制工作温度≤20°较好。;光电池的优点在于能输出较大电流，常用在需输出大的电流的场合，如用于光电控制。;用光电池的光电控制电路;2.零伏偏置电路;3.光电池作为能源的应用;照度不同，特性曲线的拐点不同，RM不同。;3.3.2.3 光电二极管（PD）;硅光电二极管;要点：2CU、2DU反向偏置；环极接法；等效电路 ;一、基本特性;3.温度特性;4.频率特性;2.雪崩光电二极管（APD）;三、基本电路;;RL 、Ub 对输出信号的影响;图解法计算;检测电路要使用交流放大器 ;交流负载线过拐点;;光电二极管用于精密测量和信号传递。但它灵敏度低，易受温度影响。宜用噪声低、输入阻抗高的场效应管作前置放大，并采用温度补偿。 ;集电结反偏置，发射结正偏置 ;光电三极管可看作由一个硅光电二极管和普通晶体管组合而成。;2.伏安特性;3.温度特性;4.