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本发明涉及半导体集成电路技术领域，特别涉及栅氧化层及其制备方法和半导体器件。所述栅氧化层的制备方法包括以下步骤：获取半导体衬底，所述半导体衬底上具有浅沟槽隔离结构，所述浅沟槽隔离结构隔离出有源区，酸洗；对半导体衬底进行氢气退火处理；采用热氧化方法于氢气退火处理后的半导体衬底上形成栅氧化层。所述栅氧化层的制备方法，能够改善有源区与浅沟槽隔离结构交界转角处栅氧化层偏薄的问题，有利于形成厚度均匀的栅氧化层，进而改善器件提前打开和高漏电的问题。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113707548 A
(43)申请公布日 2021.11.26
(21)申请号 202110774786.2
(22)申请日 2021.07.08
(71)申请人 广东
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