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本发明公开了一种二元共晶靶材及其制备方法，包括A组分与B组分，所述A组分可为SiC或B4C，B组分可为TiB2、ZrB2、HfB2、TaB2或NbB2，初始A组分含量为30mol％～90mol％，余量为B组分。相较于固相烧结制备的多组分靶材，本发明制备的共晶靶材更加致密，元素种类更多，相分散更均匀，制备过程更简单，制备效率更高；相较于B、C、Si、SiC、B4C等材料，本发明具有良好的导电导热性，使用时不会因导电性和导热性差影响沉积；靶材自身已具有高硬度、高韧性，使用本发明制备的靶材进行涂层制备
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113716965 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202110956573.1 (51)Int.Cl.
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