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屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-01 发布于四川
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屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法.pdf

    本发明提供一种屏蔽栅沟槽型MOSFET器件及其制作方法，包括衬底层以及并联设置于衬底层之上的多个器件元胞，器件元胞包括体区和位于体区中的源区，贯穿层间介质层、源区且延伸至体区中形成有源区接触孔，源区接触孔的底部形成有体接触区，多个器件元胞中的一些与其他器件元胞相比形成有更大横向宽度的体接触区，且多个器件元胞各自具有相等的单元尺寸。本发明使并联的器件元胞具有不同的开启电压，使得栅源电压上升的过程中仅一部分器件元胞先开启，整个器件而言功率密度减小，散热能力增强，从而可以提升器件的SOA能力。本发明的

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 116364755 A (43)申请公布日 2023.06.30 (21)申请号 202310243069.6 (22)申请日 2023.03.14 (71)申请人 瑶芯微电子科技（

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