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一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件.pdf

    本发明涉及一种GaN器件的制作方法以及一种GaN器件。本发明所述的GaN器件的制作方法包括：提供半导体衬底；在半导体衬底上生长一层缓冲层；在所述缓冲层上生长一层第一GaN层；在所述第一GaN层上生长一层AlGaN层；在所述AlGaN层上再生长一层第二GaN层；将上述步骤得到的晶圆翻转，使得所述半导体衬底朝上；依次移除所述半导体衬底和所述缓冲层；对所述第一GaN层进行减薄处理，并定义所述第一GaN层的图案；在所述第一GaN层上生长一层绝缘层，并对所述绝缘层进行平坦化处理；在所述绝缘层上制备电极。本

    (19)国家知识产权局 (12)发明专利 (10)授权公告号 CN 113745107 B (45)授权公告日 2022.05.17 (21)申请号 202111042904.7 (51)Int.Cl.

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