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半导体结构及方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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半导体结构及方法.pdf

    本公开涉及一种半导体结构(100)，包括结晶硅基底(110)，具有表面(111)，以及在该硅基底(110)的该表面(111)上的结晶氧化硅超结构(120)，该氧化硅超结构(120)具有至少两个分子层的厚度和采用伍德表示法的(1x1)平面结构。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113748490 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202080031175.2 马尔科 ·蓬基宁　安蒂 ·拉赫蒂　

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