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一种半导体激光器的退火方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种半导体激光器的退火方法.pdf

    本发明公开了一种半导体激光器的退火方法，包括：采用退火装置，退火装置包括第一夹具、第二夹具，激光器热沉位于第一夹具、第二夹具之间，第一夹具、第二夹具远离激光器热沉的表面上分别设置有第一温度调节器、第二温度调节器，对热沉上下表面同时进行阶梯等速退火，优化夹具和热沉在厚度方向的温差应力，并使厚度方向由温差应力产生的芯片翘曲和由于芯片及热沉的CTE不匹配导致的芯片翘曲相消，达到消除封装过程中半导体激光器smile的目的，提高激光器的光束质量。

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725719 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111121173.5 (22)申请日 2021.09.24 (71)申请人 西安工程大学 地址

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