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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明公开了一种MiniLED芯片及其制造方法，在衬底上制备锥状图形化介质膜，在图形化介质膜远离所述衬底的一端生长外延层；对外延层进行切割道刻蚀后，蚀刻所述切割道侧壁和底部露出的所述图形化介质膜，由于图形化介质膜为锥状的，因此在图形化介质膜位置能够形成正梯形的切割道下侧壁；对切割道侧壁进行腐蚀，能够形成比较粗糙的侧壁表面，从而采用侧面粗化的方式增加光从芯片侧面提取的效率，提高了芯片整体亮度，增加了侧面出射光的占比，使得芯片发光角增大；在上述制得的芯片的上方覆盖绝缘钝化层和反射层，能够在保护芯片
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113745381 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202111048112.0 H01L 33/32 (2010.01)
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