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本申请提供了一种双波长垂直腔面发射激光器及其制备方法。本申请提供的双波长垂直腔面发射激光器包括：层叠设置的衬底、长波激光发射模组、隧道结、短波激光发射模组和电极接触层。本申请中提供的所述双波长垂直腔面发射激光器可以制备得到激射波长为1500～1600nm和620～650nm的双波长VCSEL。相比于传统的InP基长波长VCSEL和GaAs基短波长VCSEL，上述硅基双波长垂直腔面发射激光器可直接基于硅片制备得到长短波长共存的双波长VCSEL器件，方便应用于探测类型较多的智能家居、半导体检测及工业
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725731 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111028597.7
(22)申请日 2021.09.02
(71)申请人 深圳市中科芯辰科技有限公司
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