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一种碳化硅半导体器件及加工方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种碳化硅半导体器件及加工方法.pdf

    一种碳化硅半导体器件及加工方法。提供了一种降低测试时的空气电场强度，避免打火现象的一种碳化硅半导体器件及加工方法。本发明制作的过程不增加工艺复杂度和制造成本，形成的划片道P区器件结构由于远离终端，反向高压甚至雪崩状态时几乎不影响器件的终端截止效率。同时，在反向加压时，尤其是加到1000V以上的高压时，背面电极的等势面将不在划片道表面，由于划片道PN结反向耗尽，其电场梯度几乎全部转移到耗尽区内，划片道表面电势将被极大限度的拉低，形成与正面加厚电极（6）之间的电势差被缩小到可以忽略的状态，因此，两者

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745319 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202111039336.5 (22)申请日 2021.09.06 (71)申请人 扬州扬杰电子科技股份有限公司

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