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一种分离栅MOSFET的制作方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种分离栅MOSFET的制作方法.pdf

    本发明公开了一种分离栅MOSFET的制作方法，包括：选取硅衬底并依次淀积第一氧化层、氮化硅层、第二氧化层；对硅外延层表面刻蚀形成沟槽；形成分离栅氧化层；在沟槽内形成分离栅多晶硅；使分离栅多晶硅暴露于分离栅氧化层外；以干法刻蚀方式刻蚀分离栅多晶硅，使其顶部低于第三氧化层的最高处，形成一凹陷区域；在沟槽内沉积氧化层，以填满凹陷区域，在凹陷区域内形成多晶硅间隔离氧化层；在多晶硅间隔离氧化层上方的沟槽内形成栅极氧化层；在由栅极氧化层形成的沟槽内形成栅极多晶硅。本发明通过将分离栅多晶硅向下刻蚀出凹陷区域，

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113725078 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111065259.0 (22)申请日 2021.09.11 (71)申请人 捷捷微电（上海）科技有限公司

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