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形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构.pdf

    本发明涉及形成具取代金属栅极与接触的场效晶体管的方法及其结构，在形成集成电路(IC)结构的方法中，集成电路结构将多个场效晶体管(FET)与离散的取代金属栅极(RMG)及取代金属接触(RMC)合并，于相同程序层级形成栅极切口沟槽与接触切口沟槽。然后，同时用相同隔离材料填充沟槽，以分别形成电隔离相邻RMG的栅极切口隔离区及电隔离相邻RMC的接触切口隔离区。所选择的隔离材料就最佳效能而言，可是低K隔离材料。再者，由于是将相同程序步骤用于填充两种类型的沟槽，只需单一化学机械抛光(CMP)程序，将隔离材料

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 109087888 A (43)申请公布日 2018.12.25 (21)申请号 20181

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