- 1、本文档共8页,其中可免费阅读7页,需付费10金币后方可阅读剩余内容。
- 2、本文档内容版权归属内容提供方,所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议,可选择认领,认领后既往收益都归您。
- 3、本文档由用户上传,本站不保证质量和数量令人满意,可能有诸多瑕疵,付费之前,请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形,可联系本站下载客服投诉处理。
- 4、文档侵权举报电话:400-050-0827(电话支持时间:9:00-18:30)。
- 5、该文档为VIP文档,如果想要下载,成为VIP会员后,下载免费。
- 6、成为VIP后,下载本文档将扣除1次下载权益。下载后,不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 7、成为VIP后,您将拥有八大权益,权益包括:VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 8、VIP文档为合作方或网友上传,每下载1次, 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等,对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本发明属于光催化领域,公开了一种氮掺杂的氢终端金刚石及其制备方法,包括以下步骤:在预处理的衬底上进行成核;然后通过微波等离子体化学气相沉积方法,在成核的衬底上生长氮掺杂的多晶金刚石层,并对氮掺杂的多晶金刚石层进行氢化处理,得到氮掺杂的氢终端金刚石。氮掺杂的氢终端金刚石包括氢终端多晶金刚石,氢终端多晶金刚石内掺杂氮原子,氮原子的掺杂浓度≥1017cm‑3,且掺杂的氮原子在氢终端多晶金刚石内形成氮空位色心缺陷;氢终端多晶金刚石的二维空穴气密度≥1010cm‑2。利用氮空位缺陷,实现可在光照条件下进行
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113731459 A
(43)申请公布日 2021.12.03
(21)申请号 202110821200.3
(22)申请日 2021.07.20
(71)申请人 西安交通大学
地址
文档评论(0)