1. 您所在位置：
  2. 网站首页
  3. 文档分类
  4. 行业资料
  5. 国内专利

高纯碳化硅源粉制备方法.pdfVIP

  • 8
  • 0
  • 约1.07万字
  • 约 10页
  • 2023-07-02 发布于四川
  • 举报

高纯碳化硅源粉制备方法.pdf

    本申请公开了一种高纯碳化硅源粉制备方法，包括：高纯碳粉提纯步骤：在抽真空环境下，将高纯碳粉在石墨坩埚中进行高温煅烧，煅烧完成后，停止加热，通入保护气体进行降温，得到提纯后的碳粉；高纯硅熔融步骤：将高纯硅放置在含有保护气体氛围的石英坩埚内部进行高温熔化，得到熔硅；混合步骤：将提纯后的碳粉加入到熔硅中，控制石英坩埚以设定转速转动设定时间，然后通入保护气体进行降温，得到碳硅固熔体；粉碎步骤：对碳硅固熔体进行碎块，得到高纯碳化硅源粉。本申请能够将碳粉和硅均匀混合并且降低氮的摄入，且本方法中对于加热的温场

    (19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113716566 A (43)申请公布日 2021.11.30 (21)申请号 202111067621.8 (22)申请日 2021.09.13 (71)申请人 浙江大学杭州国际科创中心

    您可能关注的文档

    最近下载

    文档评论（0）

    1亿VIP精品文档

    更多 >

    相关文档

    更多 >