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- 2023-07-02 发布于四川
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本发明提供一种浅沟槽隔离结构的形成方法及快闪存储器的制造方法，浅沟槽隔离结构的形成方法包括：提供一衬底，衬底中形成有沟槽，沟槽之间的衬底上覆盖有第一介质层；形成第一场氧层，第一场氧层填充沟槽，并延伸覆盖至第一介质层上；以第一介质层为研磨停止层，对第一场氧层执行第一化学机械研磨；形成第二场氧层，以第一介质层为研磨停止层，对第二场氧层执行第二化学机械研磨；以及，去除衬底表面上的第一介质层，形成浅沟槽隔离结构。在本发明中，通过第二场氧层覆盖第一场氧层，可将第一场氧层执行第一化学机械研磨后可能存在的缺陷
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113725146 A
(43)申请公布日 2021.11.30
(21)申请号 202111006999.7
(22)申请日 2021.08.30
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
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