原创力文档- 1、本文档内容版权归属内容提供方，所产生的收益全部归内容提供方所有。如果您对本文有版权争议，可选择认领，认领后既往收益都归您。。
- 2、本文档由用户上传，本站不保证质量和数量令人满意，可能有诸多瑕疵，付费之前，请仔细先通过免费阅读内容等途径辨别内容交易风险。如存在严重挂羊头卖狗肉之情形，可联系本站下载客服投诉处理。
- 3、文档侵权举报电话：400-050-0827(电话支持时间：9:00-18:30)。
- 4、该文档为VIP文档，如果想要下载，成为VIP会员后，下载免费。
- 5、成为VIP后，下载本文档将扣除1次下载权益。下载后，不支持退款、换文档。如有疑问请联系我们。
- 6、成为VIP后，您将拥有八大权益，权益包括：VIP文档下载权益、阅读免打扰、文档格式转换、高级专利检索、专属身份标志、高级客服、多端互通、版权登记。
- 7、VIP文档为合作方或网友上传，每下载1次， 网站将根据用户上传文档的质量评分、类型等，对文档贡献者给予高额补贴、流量扶持。如果你也想贡献VIP文档。上传文档
查看更多
本申请设计存储器领域，具体涉及一种闪存编程操作方法和操作电路。其中。方法包括：向存储单元的位线提供脉冲序列信号，脉冲序列信号包括：在时域上依次交替的高电平期间和低电平期间；在编程许可信号的控制下，使得存储单元，在脉冲序列信号的一段高电平期间，根据编程输入数据进行编程操作；在脉冲序列信号的一段低电平期间，使得存储单元进行读检测操作；读检测操作包括：读出存储单元中存储的数据，比较在低电平期间读出的数据与编程输入数据是否一致；若一致，停止编程操作；否则，使得存储单元，在下一段高电平期间，再一次根据编程
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 112071351 A
(43)申请公布日 2020.12.11
(21)申请号 202010892461.X
(22)申请日 2020.08.31
(71)申请人 上海华虹宏力半导体制造有限公司
文档评论（0）