势垒可调的n型氧化镓肖特基二极管的结构及其制备方法.pdfVIP

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2023-07-02 发布于四川
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势垒可调的n型氧化镓肖特基二极管的结构及其制备方法.pdf

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本发明属于半导体技术领域，且公开了势垒可调的n型氧化镓肖特基二极管的结构及其制备方法，二极管由上到下依次包括阳极金属层、阳极场板、介质层、势垒调控层、低掺杂氧化镓外延层和衬底层以及阴极金属层，所述的势垒调控层厚度小于20nm，浓度在2e16～2e20atom/cm3。本发明，通过设置不改变反向击穿性能的同时，增加二极管多子的发射能力，从而提高功率密度，降低导通电阻。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113745350 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202110816343.5 (22)申请日 2021.07.20 (71)申请人合肥师范学院地址