一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法.pdfVIP

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  • 2023-07-02 发布于四川
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一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法.pdf

本发明涉及一种熔接式电缆外半导层恢复工艺方法,包括以下步骤:S1、将已恢复绝缘的电缆使用电缆清洁纸进行表面清洁,使用美工刀片将位于熔接头两端的外半导层断口进行倒角处理;S2、将半导硫化带从外半导层一端断口搭接至另一端断口;S3、在半导硫化带的外部包绕一层锡纸,再在锡纸外缠绕一层耐高温PI聚酰亚胺胶带;S4、在耐高温PI聚酰亚胺胶带上包绕硅橡胶加热带,配置温控箱,温控箱的温度感应探头插入硅橡胶加热带中,温度调整为90℃加热;S5、当温度达到定值90℃时,保温5分钟后,进行风冷,用细砂带背面来回轻拉

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113744932 A (43)申请公布日 2021.12.03 (21)申请号 202111051053.2 (22)申请日 2021.09.08 (71)申请人 黄石市深博电气有限公司

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