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本发明提供了一种电压基准芯片的封装结构及输出电压温度补偿方法，所述封装结构内部设有电压基准芯片和二极管芯片，二极管芯片靠近电压基准芯片设置，以通过检测二极管芯片的结温间接获取电压基准芯片的结温；本发明利用二极管芯片的正向导通压降随温度变化的特性，并基于二极管芯片靠近电压基准芯片设置的结构设计，通过外部算法间接获取电压基准芯片的结温，而后对电压基准芯片的输出电压进行温度补偿，能有效抵消温度对电压基准芯片输出电压所带来的影响，实现电压基准芯片温漂的最小化，且该方案仅需要增加二极管芯片结构和少量采集计
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113760033 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111051799.3
(22)申请日 2021.09.08
(71)申请人 中国
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