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本申请公开了一种LDMOS的仿真方法，涉及集成电路领域。该方法包括建立LDMOS的等效电路模型，所述等效电路模型包括漏端电阻、MOS管、源端电阻；利用所述LDMOS的等效电路模型对LDMOS进行仿真；其中，在所述等效电路模型中，所述漏端电阻的阻值和所述源端电阻的阻值随着沟道分压的变化而变化；解决了现有LDMOS的等效电路模型对应的仿真结果中过渡区电流和碰撞电离电流难以反映器件真实情况的问题；达到了优化LDMOS的等效电路模型，提升仿真结果中过渡区和碰撞电离电流的拟合度的效果。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113761824 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110923093.5
(22)申请日 2021.08.12
(71)申请人 华虹半导体（无锡）有限公司
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