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本发明涉及一种双面电容结构及其形成方法。所述双面电容结构的形成方法包括如下步骤：提供基底；形成叠层结构于所述基底上；沿垂直于所述基底的方向形成电容孔贯穿所述叠层结构，所述叠层结构包括交替叠置的牺牲层和支撑层；形成辅助层覆盖于所述电容孔侧壁；形成第一电极层覆盖所述辅助层表面；去除所述叠层结构顶部的部分所述支撑层，以形成开口暴露所述牺牲层；沿所述开口同时去除所述牺牲层和所述辅助层，以形成空隙于所述支撑层和所述第一电极层之间；形成覆盖于所述第一电极层表面的电介质层、以及覆盖于所述电介质层表面的第二电极
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764580 A
(43)申请公布日
2021.12.07
(21)申请号 20201
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