半导体装置及其形成方法.pdfVIP

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2023-07-03 发布于四川
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半导体装置及其形成方法.pdf

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本发明公开了半导体装置及其形成方法，包括衬底、多条位线、多个触点、多个存储节点焊盘、电容结构以及第一介面层。所述位线、所述触点设置于所述衬底上，并且所述触点与所述位线交替且分隔地设置。所述存储节点焊盘设置于所述触点以及所述位线上，并分别对位于所述触点。所述电容结构设置在所述存储节点焊盘上。所述第一介面层设置在所述存储节点焊盘以及所述电容之间，所述第一介面层包含一金属氮化物材质。所述第一介面层可改善所述存储节点焊盘的晶粒大小，降低其表面粗糙度，进而提升存储节点与下方晶体管组件之间的电性连接。

(19)中华人民共和国国家知识产权局 (12)发明专利申请 (10)申请公布号 CN 113764419 A (43)申请公布日 2021.12.07 (21)申请号 202111057606.5 (22)申请日 2021.09.09 (71)申请人福建省晋华集成电路有限公司