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本发明涉及声学滤波器技术领域，特别涉及一种用于声学滤波器的异质单晶薄膜的制备方法。该异质单晶薄膜的制备方法包括以下步骤：提供异质薄膜结构；该异质薄膜结构包括压电薄膜；对该异质薄膜结构进行后退火处理；该后退火温度范围为300‑800摄氏度；该后退火的氛围内含有与该压电薄膜对应的元素材料。从而能够在实现提高键合强度，恢复晶格缺陷的同时，还能够有效抑制压电薄膜中锂元素和氧元素等的外释问题，提高异质单晶薄膜的质量。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113764572 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202110829439.5
(22)申请日 2021.07.22
(71)申请人 上海新硅聚合半导体有限公司
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