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本发明公开了一种适用于半导体分立器件的光刻方法，改变光刻步骤中的旋转涂胶、前烘温度、曝光时间、显影时间等四个主要光刻工艺参数：匀胶时匀胶机低速旋转速度为500r/min，时间为10s，高速旋转速度为4000r/min，时间为25s；前烘温度为120℃，持续时长为3min；曝光时间为20s；显影时间为30s。基于上述参数，通过URE‑2000/17型紫外光刻机进行实验，能够成功地将掩模版上呈现的图案精确复制到硅片基底上，显影后光刻胶线条清晰，图形完整。
(19)中华人民共和国国家知识产权局
(12)发明专利申请
(10)申请公布号 CN 113759664 A
(43)申请公布日 2021.12.07
(21)申请号 202111084713.7
(22)申请日 2021.09.16
(71)申请人 扬州大学
地址 22
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